Новости

-->

Начались пробные поставки энергонезависимой памяти DDR3 нового типа

Компания Everspin выпустила пробные образцы энергонезависимой памяти EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM вместимость которой составляет 64 Мбита. Микрочипы обладают высоким быстродействием и характеризуются высокой скоростью передачи данных


Компания Everspin выпустила пробные образцы энергонезависимой памяти EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM вместимость которой составляет 64 Мбита. Микрочипы обладают высоким быстродействием и характеризуются высокой скоростью передачи данных.

Everspin анонсировала микрочипы магниторезистивной памяти EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM, предназначенные для использования в высокопроизводительных системах хранения данных.

Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM), хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа, являются энергонезависимыми и обеспечивают высокую скорость передачи данных. MRAM, как ожидается, в перспективе придёт на смену DRAM и NAND.

Новые изделия Everspin выполнены по технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Torque). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.

В настоящее время Everspin поставляет ознакомительные образцы чипов ST-MRAM вместимостью 64 Мбит. В перспективе планируется достичь гигабитных плотностей. Ожидается, что новая память найдёт применение в том числе в облачных хранилищах информации.

О широкой доступности ST-MRAM будет объявлено в 2013 году.

Модули памяти Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM
Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM

compulenta

18/02

Представлен прототип «исчезающей» клавиатуры для тачскринов (видео)

Компания Tactus Technology представила рабочую технологию обратной связи, с помощью которой можно создавать рельеф на сенсорном дисплее. По такому принципу функционирует "исчезающая" клавиатура, кнопки которой формируются в виде в..

13/02

Представлен прототип прозрачного смартфона (видео)

Компания Polytron Technologies представила прототип прозрачного смартфона, оснащенный большей частью прозрачными компонентами, за исключением батареи, карты памяти и сим-карты. Сообщается, что серийный выпуск прозрачного смартфона..

06/02

Toshiba представила 128 Гбитную 19-нм NAND-память

Компания Toshiba представила 300-миллиметровую пластину с микрочипами NAND-памяти, изготовленную по 19-нм технологии. Сообщается, что чипы обладают вместимостью 128 Гбит, а в каждой ячейке могут хранится три бита информации. Несмо..

 
При полном или частичном воспроизведении новостных материалов ссылка на CHIP.com.ua обязательна.
Администрация сайта может не разделять мнение автора и не несет ответственности за авторские материалы.
Copyright © 2000-2011 «CHIP.com.ua». All rights reserved
Регистрация доменов